型号:ALD1121EPAL
功能描述:MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
RoHS:否
制造商:STMicroelectronics
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:650 V
闸/源击穿电压:25 V
漏极连续电流:130 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms
配置:Single
最大工作温度:
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:Max247
封装:Tube
ALD1121ESA
ALD1121ESAL
ALD1123EPC
ALD1123EPCL
ALD1123ESC
ALD1123ESCL
ALD112W
ALD114804APCL
ALD114804ASCL
ALD114804PCL
您可以:
1. 缩短或修改您的搜索词,重新搜索
2. 发布紧急采购,3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购